文 | 硅基象限，作者 | 张思
放眼全球，市值突破万亿美元的企业仅十余家，而做存储的就有三家。
在过去12个月，SK海力士和美光股价超9倍速狂奔，三星电子暴增超5倍，三家存储巨头，大跨步进入“万亿美元市值俱乐部”。
具体来看，去年6月27日，美光股价约为124.7美元/股，而今年6月28日已达1132美元，市值超1.2万亿美元；SK海力士去年6月29日股价约为180美元，今年6月26日约1700美元，总市值约 1.38万亿美元；三星电子去年6月29日其股价约40美元，而今年6月27日约209美元，市值约1.4万亿美元。
这背后的核心原因是，三星电子、SK海力士、美光几乎包揽了90%以上算力服务器中的存储市场。
伴随着三巨头的狂飙，其所在的存储行业也被贴上三个标签，涨价、垄断与扩产。
三个月狂揽800亿美元
存储涨价的苗头，从2025年上半年开始。
去年4月，闪迪一封涨价函，告知客户产品整体涨幅超过10%，掀开了存储芯片短缺、涨价的大幕。
随后，三星电子、海力士、美光等大厂也开始宣布涨价，甚至在2025年下半年涨幅一度超70%，且供不应求。
这带来了2025年，三家头部存储公司，营收和利润的增长。
在2025年财年，三星电子半导体（DS）业务营收约为308亿美元，营业利润约114亿美元；海力士营收约681亿美元，净利润约300亿美元；美光营收为373.78亿美元，净利润为85.39亿美元。
在2025年，海力士的利润率为48.5%，三星的毛利率为39.4%，美光的毛利率为39.8%。
2026年开年，三家半导体巨头营收几乎翻倍，利润也迎来约4倍增长，且伴随着净利率/毛利率的翻倍。
2026年一季度（1-3月），三星半导体业务（DS）的营业收入为530亿美元，增长225%，营业利润达350亿美元，同比增长480%，海力士营业收入约330亿美元，同比暴涨198%，营业利润约240亿美元，同比增长 405.5%。
从美光最新发布的2026财年第三季度（3-5月）数据来看，增长还在持续，期间营收414.6 亿美元，同比增长345.7%，净利润288.6 亿美元，同比暴涨1398.3%。
三巨头三个月赚了800亿美元，超过2025年全年。
营收和利润高速增长背后，是净利率/毛利率的翻倍。在2026年一季度，三星营业利润率是66%;海力士为72.7%,而美光在2026财年三季度毛利率也达到了84.9%。
在2026年5月下旬，三家存储公司的市值，相继突破万亿美元。
全球市值超万亿的公司仅16家，科技公司有13家，除了三家存储巨头外，还有市值超过四万亿美元的英伟达，谷歌母公司 Alphabet 、苹果 Apple，超过2亿的微软 Microsoft、亚马逊 Amazon、台积电TSMC、SpaceX，以及超过万亿美元的博通 Broadcom、特斯拉 Tesla、Meta Platforms。
三星和SK海力士，也成为唯二，进入万亿美元市值俱乐部的韩国企业。
助力他们狂奔的关键技术有两个：DRAM与NAND Flash。
“吸金王“：DRAM与NAND Flash
存储器分为两大类，一类是易失性存储，存储速度快，但是一断电数据就清空；另一类是非易失性存储，断电后数据依然存在。
DRAM与NAND Flash，一个是易失性存储器，另一个则是非易失性存储器。
DRAM包括HBM（高带宽内存）、DDR5/6、LPDDR5/5X/6、GDDR6/GDDR7等技术路线。其中，DDR5/6是台式机、服务器内的存储技术，LPDDR6/5/5X用在智能手机、平板及车载系统，GDDR6/GDDR7面向图形处理器（GPU）的高速显存。
HBM（高带宽内存）是用于算力服务器的存储，也是技术壁垒最高的DRAM。HBM采用2.5D堆栈技术，需要将8 层、12 层甚至16 层 DRAM 芯片，通过TSV（硅通孔）技术，垂直堆叠在一起，目前最新技术为HBM3e / HBM4，单颗存储容量已超36GB。
诸如，三星电子、美光目前HBM3E和HBM4均采用12层堆叠，最高可以实现36GB容量，且正在研发16 层堆叠，容量达48GB的HBM4。
NAND Flash，也叫闪存，包括手机内置存储、U 盘、服务器的固态硬盘 SSD。在AI算力场景下，存储已经演进到PCIE 6.0 SSD。
NAND Flash依靠3D 堆栈技术，将200层甚至300-400层的芯片，堆叠到一个芯片上，堆栈层数越多，技术难度越高。比如海力士开始采用321层固态硬盘（cSSD），并计划在今年底开始量产375层3D NAND Flash，三星计划 2029年将实现420层 SSD。
根据CFM闪存市场统计数据，25Q4全球DRAM市场的前三名分别为三星电子、SK海力士、美光，分别占据37.1%、33.1%和20.8%。而在NAND Flash 市场，前五名分别是三星、SK海力士、铠侠、闪迪和美光，占27%、22.1%、15%、12.8%、11.6%。
三家巨头正惹上“垄断官司”。外媒披露，6月29日，三星电子、SK海力士和美光科技遭遇美国联邦反垄断的集体诉讼，称其合谋限制传统DRAM供应、抬高价格，加剧内存短缺。
存储三巨头能站上如今的位置，其实已经走了50年。
内卷、洗牌的五十年
DRAM比NAND Flash早出生20年，但发明这两种芯片的公司，目前都已放弃存储业务。
1970年，英特尔推出世界上首款DRAM存储芯片（Intel 1103），容量仅1KB，并一度拿下存储芯片的80%以上市场。
在八年后，帕金森兄弟（沃德·帕金森与乔·帕金森）在美国爱达荷州，一个牙科诊所的地下车库创立了美光，并在1979年发布64Kb容量DRAM。
1980年，美光创立的两年后，行业开始“内卷“。当时，日本厂商东芝、日立、富士通等公司开始进军存储市场，并以极高的良品率和更低价格，抢占80%以上市场份额。
那时，英特尔因为难以匹敌日本公司，放弃 DRAM业务，转型做微处理器（CPU）。
在三年后，韩国两大巨头才成立。1983年，韩国商人郑周永成立现代电子产业株式会社，这也是SK海力士的前身，同年，三星创始人李秉喆宣布正式进军DRAM市场，并发布了能用于个人电脑的64Kb 容量的DRAM，比美光晚4年，比海力士早两年。
1989年，东芝推出首款 NAND Flash 产品，NAND Flash进入存储舞台中央。1992年底，三星从东芝获得 NAND Flash 设计授权，并推出首款 NAND Flash 器件。
之后十年，存储行业开始重新洗牌。这一年，韩国现代电子并购LG半导体，并在一年后将现代电子彻底剥离，更名为海力士半导体。
同年，日本存储企业也开始并购重组。NEC与日立剥离各自的内存业务，联合成立NEC日立存储器，一年后正式更名为尔必达。
2000年代初期，海力士正式开始研发NAND Flash，2002年，三星在全球闪存市场份额排名第一。
2003年，日本又一家公司，三菱电机的DRAM 制造部门，也被并入尔必达。在之后几年，尔必达进入发展的黄金期，成功在东京证券交易所上市，并一度获得20%市场份额。
但在2012年之后，日本企业渐渐退出存储赛道。一方面，尔必达由于难敌韩国企业的竞争，加上日本经济限制，宣布破产，并由美光收购。另一方面，在2016财年，东芝净亏损高达9657亿日元，不得已将存储部门剥离并出售，在2019年正式更名为铠侠。
当前，DRAM和NAND Flash是三星和海力士的绝对统治区。但他们侧重点略有不同，三星的优势在于智能手机、电脑中的DDR5/6，LPDDR5等消费级市场，而海力士因为更早绑定英伟达，而在HBM市场更具优势。
算力竞争的下半场依然火拼产能。6月29日，SK海力士宣布将单独向韩国西南地区（湖南／光州）半导体集群投入400万亿韩元，用于建设多座存储晶圆厂及HBM先进产线；三星电子正式公布未来 10 年总额约 1000 万亿韩元的投资；美光也在纽约州和爱达荷州规划了庞大的全新晶圆厂建设。
存储行业是个周期性行业，产能不足时价格增长迅猛，但是需求下降时，价格也将迅速下滑，这也意味着存储行业将没有“永远的牛市”。
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